مقاله ترجمه شده ساخت و تعیین مشخصات ردیاب نوری فرابنفش فلز- نیمه رسانا – فلز بر اساس نانومیله روتیل 〖Tio〗_2

ساخت و تعیین مشخصات ردیاب نوری فرابنفش فلز- نیمه رسانا-فلز مورد بررسی واقع می گردد. این ردیاب نوری بر اساس نانومیله های 〖Tio〗_2 (NR) رشد یافته بر روی زیر لایه سیلیکون (III) محور از نوع P است که با لایه 〖Tio〗_2 دانه دار می شود و با اسپاترینگ ( کندو پاش) ماگنترون واکنشی با فرکانس رادیویی سنتز می شود. روش رسوب شیمیایی حمامی برای رشد نانو میله های 〖Tio〗_2 بر روی زیر لایه استفاده می شود. مشخصات ساختاری و نوری نمونه به دست آمده با استفاده از پراش اشعه x و میکروسکوپی الکترون روبشی، صدور میدانی تحلیل می شود.نتایج حاصل، ساختار روتیل چهار گوشی از نانو میله های سنتز شده 〖Tio〗_2 را نشان می دهد. مشخصات نوری با استفاده از طیف سنجی فتولومینانس بررسی می شود. پیک تیز و شدت بالا فرابنفش (UV) در مقایسه با پیک های معیوب قابل رویت متمرکز در 432 و nm 718 در nm367مشاهده می شود.
این ابزار به محض در معرض گیری با نورnm365 در بایاس V5 ، حساسیت 76/06 ×〖10〗^2 ، بهره ردیاب نوری داخلی 06/77 را نشان می دهد، جریان نوری ابزار A 2/62 ×〖10〗^(-5) و پیک پاسخ نوری mA/w 7/69 است. زمان های پاسخ و توان یابی به صورت 5/18 و ms 1/19 به محض روشنایی با نور UV پالس در جهت گیری کاربردی V5 محاسبه می شود. این نتایج نشان می دهد که فتودیود با کیفیت ساخته شده، انتخابی موفق به عنوان یک فتوردیاب فرابنفش کم هزینه برای کاربردهای فتوالکتریک به طور تجاری یکپارچه شده است.

The fabrication and characterization of a metal–semiconductor–metal ultraviolet photodetector are
studied. The photodetector is based on TiO2 nanorods (NRs) grown on p-type (111)-oriented silicon
substrate seeded with a TiO2 layer is synthesized by radio frequency reactive magnetron sputtering. A
chemical bath deposition is used to grow TiO2 NRs on Si substrate. The structural and optical properties of
the obtained sample are analyzed by using X-ray diffraction and
field emission-scanning electron
microscopy. Results show a tetragonal rutile structure of the synthesized TiO2 NRs. Optical properties are
further examined using photoluminescence spectroscopy. A sharp and high-intensity UV peak at 367 nm
is observed in comparison with visible defect peaks centered at 432 and 718 nm. Upon exposure to
365 nm light (2.3 mW/cm) at 5 V bias, the device displays 76.06


102 sensitivity, internal photodetector
gain of 77.06, photocurrent of the device is 2.62


105 A and photoresponse peak of 69.7 mA/W. The
response and recovery times are calculated as 18.5 and 19.1 ms upon illumination to a pulse UV light
(365 nm, 2.3 mW/cm2) at 5 V applied bias. These results demonstrate that the fabricated high-quality
photodiode is a promising candidate as a low-cost UV photodetector for commercially-integrated
photoelectronic applications.

تعداد صفحات فارسی:33
تعداد صفحات انگلیسی:9
سال انتشار:2016

• مشخصات محصول
• دسته‌بندی محصول
• برچسب‌ها
• دیدگاه‌ها